前讯系统公司宣布推出512Mbit(64MByte)NAND型闪存，将委由力晶半导体代工，预计于7月起开始小量生产，从今年9月起即可量产出货。

　　前讯公司表示，此次推出的两款产品AC79LV512B与 AC79LV512W，其存储区架构分别为64Mb ×8以及32Mb×16。该产品总共有4096个标准块，每一标准块含32页，AC79LV512W每页包含528字节，而AC79LV512B每页含264字组。其电压超作范围为2.7V至3.6V，并提供纠错码(ECC)、以及标准块在读写中发生错误时以其它完好的标准块替换(Block Replacement)之功能。

　　在各类消费性电子产品，如MP3播放器、闪存盘、数码像机等均对NAND闪存有庞大需求的同时，前讯系统公司跨入此一市场，企图希望能在三星、东芝等大厂之外，为客户提供另一种选择。

　　根据前讯系统提供的资料指出，该公司系采用全新的分散闸闪存技术，并以0.15微米工艺技术成功应用于此一高密度512Mb NAND型闪存。其分散闸技术使用三层复晶硅(Triple Poly)，并用第三层复晶硅形成紧临记忆细胞的选择闸。

　　重复此一单元结构衍生之NAND架构与市场上主流结构堆栈闸NAND比较，前讯系统具有较小的单位NAND面积、较低之抹除与写入操作高电压(前讯仅需12V、而堆栈闸NAND需18~20V)、以及较小之高电压藕合需求等优点。此外，由于采用不同的物理机制，前讯系统之分散闸技术可以较快的速度进行资料抹除与写入操作，此一优势在系统应用上可减少操作间等待时间、提升使用效率。