Transic推出SiC 20-A，600-V常闭晶体管
BitSiC0620开关电源双极晶体管是一款SiC 20-A，600-V常闭晶体管。BJT具有低集射极饱和电压，相比于Si IGBT技术而言，在相同的芯片面积情况下降低了60%的开态功耗。
三极管具有30A的一个最大电流增益和600V的开放式击穿电压，其工作范围在-80° 到250°C。该芯片是Si IGBT的替代方案，可应用于需要低功耗，高开关频率，高的最高结温度的应用。该芯片采用TO-220封装或DCB基片。
详情见：http://www.transic.com