HVVi半导体推出首个高频高电压垂直场效应三极管（HVVFET?），HVVi的新构架为雷达和航空电子应用提供频带、电压以及功率级，远远超过了目前的双极性和LDMOS技术的性能。这一具有革命性新的正在申请专利的技术使得HVVi达到了可与非硅芯片技术的性能级别，而其成本水平却极具吸引力。

　　作为初始发布的一部分，HVVi还推出基于这一新颖HVVFET构架的最早三款产品。用于L-波段高功率脉冲RF应用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三个新产品发挥了HVVFET工艺固有的优势，以及其紧凑的封装提供高输出功率和高增益，三款器件工作电压均为48V。

主要系统优势

　　HVVi的新产品可以为雷达和航空电子系统节约30%的功耗，增益增加100%，耐用性增加了十倍，因此其性能具有显著的优势。这些优点直接反映到较低的工作成本以及支持新应用的能力。此外，该技术较低的热阻抗以及较高的耐用性增加了可靠性，改善了MTBF。

　　从系统角度来看，HVVFET关于增益、效率、功率密度的性能优点使设计者可以消除放大进程，不需功放（PA），降低了器件数，并减小了PCB空间需求。同事，该技术更高的耐用性使得雷达与航空器件设计者不需使用体积大而昂贵的隔离器，显著的降低了系统重量、尺寸和成本。

　　HVVFET晶圆工艺还具有可扩展性极大优点，通过简单的增加晶圆尺寸，在相同的布局与设计情况下其性能支持较高的功率级，从而可支持广泛的应用。设计的简化还使公司可以在很短的90天内推出新产品。

用于航空电子的高性能

　　日前推出的三款期间定位于商用和军用航空电子及地基雷达系统，所有产品工作电压都在24V到48V。对于1030-1090MHz的L-波段脉冲应用，HVV1011-300工作在48V，当工作在50 ?s脉冲宽度周期为1 ms脉冲信号情况下，提供大于300W的脉冲输出功率，15dB的增益及48%的效率。HVVFET构架中使用的垂直器件结构确保了高可靠性和耐用性，在全功率输出所有的相角可承受20：1的VSWR。

　　HVV1214-025和HVV1214-100是增强模式的RF三极管，用于1.2 到1.4 GHz L-波段脉冲雷达应用。两个器件都工作在48V，分别产生25W和100W功率。测试中200?S的脉冲宽度以及10%的占空比，HVV1214-025提供17.5 dB的增益，HVV1214-100提供19.5 dB的增益。

价格与供货

　　目前可提供评估套件以及小批量。HVV1214-025封装为新颖的SMT，数量为1-24个时$135.69。HVV1214-100和HVV1011-300为业界标准的法兰盘封装。数量为1-24个时，HVV1214-100售价$226.15，HVV1011-3004售价$398.31。2008年第三季度开始量产。