飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗(RDS(ON))，与目前的MOSFET比较能降低栅极电荷(QG)达50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百kHz应用的必备条件。尽管其它MOSFET解决方案亦可在较高频率下进行切换，但这些解决方案的栅极电荷较高，造成发热更多、效率降低。

　　FDD4141采用飞兆半导体专有的PowerTrench工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。PowerTrench技术将N沟道MOSFET的特性运用在P沟道MOSFET中，使到P沟道MOSFET具备N沟道MOSFET的性能，并表现出更低的RDS (ON)和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百kHz的高频下切换，以达致步降转换器的开关要求。

　　FDD4141是飞兆半导体广泛全面的PowerTrench MOSFET产品组合的一部分，能够满足当今电子产品的电气和热性能要求，有助于实现能效目标。飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET工艺技术能够实现非常低的密勒电荷(QGD)、RDS(on)和总体栅极电荷(QG)值，当用于同步降压应用时，可提供出色的开关性能和热效率。

　　FDD4141采用无铅(Pb-free)端子，潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令(RoHS)的要求。

　　现提供样品，收到订单后8至10周内交货。