Infineon开始量产全球首款RF开关，其硅晶片采用CMOS工艺制造，可以提供与GaAs工艺制造的RF开关相当的性能，实现了技术上的突破。到目前为止，为达到GaAs开关的性能，基于CMOS的RF开关需要采用专用的价格高很多的蓝宝石晶圆制造全新系列的第一款CMOS RF开关BGS12A采用细间距WLP封装，尺寸仅仅为0.79mm x 0.54mm，与市面上最小封装的GaAs RF开关相比，可节约60%的电路板尺寸。在很多无线产品如手机、WLAN、WiMAX、GPS导航系统、蓝牙配件或远程无线钥匙等，RF开关典型的用于实现接收和发送数据（Rx/Tx）、频带选择或天线差分应用的交换功能，还可以在全世界漫游。一般来说，典型的移动设备都会安装一个RF开关。然而，一些多频带多模式手机则会安装多达4个RF开关。

　　新款Infineon RF开关采用独特的RF CMOS工艺制造，结合了具有杰出RF性能的CMOS优点，如地插入损耗，低谐波失真，良好的隔离以及高功率级。CMOS固有的优点包括高集成能力，有成本效率以及优越的静电放电（ESD）强健性。与现有解决方案相比，基于CMOS的RF开关具有最高的集成能力，比GaAs器件更便宜，而且由于电流消耗显著降低，因此具有比PIN二极管更长的电池寿命。Infineon的RF开关都不需要外部DC隔离电容，并且集成了完备的控制逻辑。CMOS兼容的逻辑电平（1.4 V到2.8 V）使得无需使用外部电平转换器。

　　BGS12A是Infineon新的基于CMOS RF开关系列的第一款产品。它是一个通用单刀双掷（SPDT）RF开关，为功率级高于20 dBm、P -1dB大于30 dBm所设计。新款RF开关具有高RF性能，当频率为1.0 GHz时其插入损耗仅仅0.3 dB，低谐波失真，良好的隔离（1.0 GHz时为34 dB），小于4?s的快速转换时间。接口可以承受1.5 kV HBM ESD，从而提供了移动设备模块制造商的产量并且达到了所需的ESD级别。BGS12A非常适用于高达3 GHz的低和中等功率应用。

　　BGS12A已经开始量产。
　　1,000片量时单价为USD 0.70。
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