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存储/缓存技术:ROHM开发成功适于车载环境下使用SPI 接口EEPROM BR25Hxx0
来源:   时间: 2007-11-13 3:23:21    
  ROHM开发出一种适合车载环境下使用的EEPROM BR25Hxx0系列 (非易失存储器),这种新产品采用世界首创的双单元结构,可以在125℃条件下稳定工作,与SPI BUS兼容。ROHM倡导用双单元结构来实现高可靠性,整个EEPROM产品系列都采用这种新结构。而且,这次开发出的样品可以在125℃下稳定工作;静电耐压也达到业界顶级的6kV;在严酷环境下的车载ECU内读出初始数据和写入状态信息都表现出高的可靠性。新的产品系列中根据存储器容量和封装形式的不同共有12款不同型号的产品。

《BR25Hxx0系列的主要优点》
  1) 采用双单元结构,可以保证数据的可靠性读写。
    
  2) 工作温度范围宽:-40 ~ +125℃

  3) 耐受静电电压高:HBM 6kV ( typ.)  
            
  4) 采用金焊接点和金引线使连接的可靠性更高 
 
  5) 内置有基于双复位的电源监视功能  
        
  6) 内置有可高速写入的页写模式

  7) ROHM EEPROM 支持SPI BUS,容易替换

  8) 采用SOP8和SOP-J8封装 (SOP8 : 6.2mm x 5.0mm x 1.71mm , SOP-J8 : 6.0mm x 4.9mm x 1.75mm )

系列产品一览表

  近来,车辆的电子设备发展很快,有时会用到数十个ECU在车上各部位起电子控制作用。但是,在车载环境下因发动机启动时产生的电涌、静电、震动、热等等因素,有可能使电子元器件损坏,而且这种危险出现的概率相对较大。所以,在车载环境下用的电子元器件要有高的可靠性。

  ROHM这次开发成功的BR25Hxx0系列,样品试验得出的结果是:可以在125℃下稳定工作;静电耐压也达到业界最高的6kV (HBM)。之所以有这些优良的性能,除了其中采用了已经在民用产品中获得好评的双单元结构、金焊接点与金引线连接之外,对电路和工艺过程都做了高冗余度设计,还安排有严格的筛选和调试过程。另外,除了保证在85℃下擦写数据可达100万次之外,还实现了保证在125℃下擦写数据可达30万次,这属业界首创。 

  这种新产品从今年2月开始供应样品( 样品价格:200日元 ),预定从2007年9月开始以月产200万个的规模开始批量生产。生产过程的前一段工序在ROHM APOLLO DEVISE株式会社( 福冈县) 进行;后一段工序在ROHM ELECTRONICS PHILIPPINES, INC.( 菲律宾 )完成。

  ROHM以独创的双单元结构和车载用产品升级来不断追求高可靠性EEPROM,为电子科学与技术的发展做贡献。


 

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