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存储/缓存技术:赛普拉斯推出手机存储器的处理器间连接方案
来源: www.ednchina.com   时间: 2007-9-26 8:10:23    
  赛普拉斯半导体公司于近日宣布:其面向下一代智能手机、基于异步双端口存储器的处理器间连接解决方案系列再添6款新品。这些新推出的More Battery LifeTM(更长电池寿命,MoBLTM)Dual Ports是业界首批集成了一个地址/数据多路复用(ADM)接口的器件。在那些能够提供视频、音乐、游戏和其他多媒体功能的3G和3.5G智能手机中,该ADM接口为实现应用处理器和基带处理器之间的直接互连创造了条件。 

  如今的消费者越来越多地把移动电话用于多媒体、数据组织、因特网接入和娱乐等目的。这些高带宽需求型功能、再加上不断变宽的无线流水线(W-CDMA、HSDPA、WiMax),使得智能手机的处理性能要求提升了9倍之多。为了给这些功能分配足够的专用I/O,下一代处理器将拥有一个ADM外部存储器接口(EMI),从而把地址/数据引脚解放出来。Cypress的MoBL ADM双端口实现了与双处理器智能手机中的这些应用处理器和基带处理器的直接互连,因而缩减了系统成本和电路板空间(未使用外部锁存器),并且缩短和简化了设计流程。    

  赛普拉斯公司数据通信部的产品经理Vikas Dhurka说:“在面向移动手机的处理器间连接解决方案领域,Cypress已经确立了自己的领导地位,而新款MoBL ADM双端口的推出使得我们在最新一代智能手机的相关领域中继续保持领先。利用一个端口上的固定ADM接口和另一个端口上的可选ADM或标准接口,MoBL ADM双端口提供了一款面向3G和3.5G应用处理器和基带处理器的全面互连解决方案。这使得手机设计师能够快速完成双处理器智能手机的设计,而不必为不同的处理器接口感到担心。”    

  新型多媒体功能和无线标准要求在双处理器移动手机中实现高吞吐量、低功率互连。在存取时间仅为65ns的情况下,MoBL ADM双端口能够提供高达246Mbps的吞吐量,这是业界的最高水平。Cypress的低功率MoBL技术可使互连在工作时的典型待机电流仅为2μA,与诸如UART、I2C和USB1.1等传统互连技术相比,处理器间通信过程中的功耗降幅高达50%。MoBL系列双端口互连的灵活性是业界最高的,具有64Kb、128Kb和256Kb的密度。这些器件具有高达4Kb的存储空间,可被配置成一种x16或x8总线模式。MoBL ADM双端口采用超小型6mm×6mm、0.5mm间距、100焊球vfBGA(超微细球栅阵列)封装。 


关于MoBL双端口互连系列     

  当今的移动手机拥有诸如视频记录、音乐播放、多媒体消息发送和3D游戏等先进功能。这些手机也面临着由于更新、速度更快的无线标准的出现以及OS功能增加所带来的挑战。许多制造商已经采用了一种多处理器系统架构,旨在满足因这些功能的出现所导致的处理要求的提高。MoBL双端口互连系列的成员设计了两个单独的SRAM端口,以使处理器能够高效地交换数据,并使基带和应用子系统彼此独立地演进。每个子系统都可以是独立的,因此为实现处理器间通信所需进行的软件设计工作量极少。 
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