东芝今天宣布公司已经研制出一种全新的嵌入式NAND闪存系列，以eMMCTM＊1为标准，达到业内最大容量。这种16GB新产品用于手机及数码摄像机等便携式产品。东芝计划从今年第二季度开始出厂样品，从第四季度开始量产。在此之前，东芝将从本月开始出厂8GB样品，并从第三季度开始量产。

　　16GB新产品在标准的小型封装内采用先进的56nm制程技术，收纳了8枚2GB的NAND芯片和控制器芯片，并带有控制功能。新的嵌入式闪存实现了同种产品业内的最大容量，为便携式产品带来新容量，专用控制器的集成减轻了产品生产厂商开发的负担。而且，新产品以高速存储卡规格-MMCA（MultiMediaCard Association）Ver.4.2为标准，支持标准接口，用户可以简单的嵌入产品。

　　东芝基于新技术，提供1GB到16GB的5种容量的嵌入式NAND闪存系列产品。丰富的ｅＭＭＣＴＭ型产品将提供非常宽泛的新产品应用。

　　为了满足带有减轻开发负担、便于系统设计集成的控制器功能的存储器需求的不断扩大，东芝已经向您提供了带有使用NAND的基本控制功能的「LBA-NANDTM＊2」存储器、具有SD接口的大容量「GB-NANDTM」存储器＊2。这次，东芝又增添了eMMCTM型新产品，将不断加强在本领域的领先地位。

　＊１　ｅＭＭＣ是MultiMediaCard Association多媒体卡协会的注册商标
　　＊２　LBA-NANDTM、GB-NANDTM为东芝的注册商标。

　新产品的概要　
　　型号?容量?封装?样品出货?量产时间?量产规模
　　THGAM0G7D8DBAI6?16GB?169Ball FBGA?2007年6月?2007年12月?总体100万个／月
　　THGAM0G6D4DBAI4?8GB?169Ball FBGA?2007年４月?2007年7月?
　　THGAM0G5D2DBAI4?4GB?169Ball FBGA?2007年第4季度?2008年第1季度?
　　THGAM0G4D2DBAI5?2GB?153Ball FBGA?2007年第4季度?2008年第1季度?
　　THGAM0G3D1DBAI5?1GB?153Ball FBGA?2007年7月?2007年9月?
　 　
　　＊封装尺寸 ：　11.5×13.0×1.3mm（153Ball）、12.0×18.0×1.3mm（169Ball）
14.0×18.0×1.5mm（只限169Ball 16GB产品）

　新产品的主要特征　

　　１．内置以MMCA Ver. 4.2规定为标准的控制器，因此用户无需开发NAND闪存的控制功能（写入块管理、错误订正、驱动器软件等），从而减轻开发成本，也缩短开发时间。

　　２．?根据不同用途，备有从大容量16GB到较小容量的1GB的多种产品。最大容量的16GB产品可以记录大约4千首（假设每首音乐为4MB）音乐数据，以128Kbps的比特速率，大约可以记录280小时的数据。

　　３．?采用先进的56nm制程技术，在16GB产品中堆栈
8层2GB的芯片。

　新产品的主要规格　

　　型号／容量?THGAM0G7D8DBAI6?16GB
　　THGAM0G6D4DBAI4?8GB
　　THGAM0G5D2DBAI4?4GB
　　THGAM0G4D2DBAI5?2GB
　　THGAM0G3D1DBAI5?1GB
　　接口?以MMC Ver. 4.2规定为标准的HS-MMC接口
　　电源电压?2.7～3.6V（存储器内核）　／　1.7V～1.95V（接口）
　　总线宽度?x1 / x4 / x8
　　写入速度?最小　6MB/秒　（时序模式）
　　读取速度?最小　15GB/秒　（时序模式）
　　工作温度?-25℃～+85℃
　　封装?153Ball FBGA （+16支持Ball）